因此，门试为了使LMB在高电流密度下工作，且实现高能量密度，发展具有理想结构且相对较薄，同时能够抑制锂在顶部沉积的主体结构是必不可少的。

由于已经有成功演示的控制反铁磁自旋轴的方法发展，点示反铁磁性的电场控制由于其低耗能的独特优势而受到越来越多的关注。范优伏制方题目是Electric-Field-ControlledAntiferromagneticSpintronicDevices。

先考（d）皮秒写入脉冲的波形。2.4、虑光反铁磁性的电化学控制使用离子迁移的电化学调制可能是调整反铁磁性的另一种方法。门试（b,c）由电流感应的自旋传递转矩驱动的倾斜反铁磁矩旋转的示意图。

点示（d）在3T以下的各种温度下的各向异性磁阻。【背景介绍】反铁磁性是具有两个或多个磁性子晶格的磁阶表现，范优伏制方该子晶格以总力矩为零的方式排列。

在这篇综述中，先考作者对包括使用应变，离子液体，介电材料和电化学离子迁移的反铁磁自旋电子器件的电场调制等前沿研究进行了全面综述。

3.2、虑光电场控制反铁磁自旋逻辑器件传统的集成电路基于互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管，虑光由于量子隧穿效应和玻耳兹曼暴政，它们已成为发展的瓶颈。作者通过苯环上添加供电子甲基基团进一步降低了联苯的氧化还原电势，门试成功实现了0.14V(vsK/K+)的氧化还原电势。

部分或者全部的阴离子发生氧化还原反应可能提供更高的容量，点示但是牺牲一部分可逆性。范优伏制方31.HighelectronicconductivityastheoriginoflithiumdendriteformationwithinsolidelectrolytesNatureEnergy,DOI：10.1038/s41560-018-0312-z固态电解质被普遍认为是锂金属负极可以用于高能量密度电池的关键。

尽管人们普遍认为SEI是电化学惰性的且是不可逆的，先考但至少以新生形式存在的这种锂盐是可以重新氧化的。虑光这个研究为制备同时具有体相和界面传输要求的固态电解质提供了一个方向。